APT50M65B2FLL
MOSFET
N-Channel
TMAX
Parametros Principales
Vds Max.
500.000 V
Id Max.
67.000 A
RDSon
0.0650 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
690.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TMAX |
| tr - Rise Time | 15 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 1430 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 67 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 690 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 500 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.065 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del APT50M65B2FLL:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el APT50M65B2FLL?
Los reemplazos compatibles para el APT50M65B2FLL incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, APT5024SVR, APT5027BVR, APT50M50JFLL, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el APT50M65B2FLL?
El APT50M65B2FLL es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TMAX.
¿Cual es el voltaje maximo del APT50M65B2FLL?
El APT50M65B2FLL tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 67.000 A.