APT50M85B2VFR
MOSFET
N-Channel
TMAX
Parametros Principales
Vds Max.
500.000 V
Id Max.
56.000 A
RDSon
0.0850 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
625.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TMAX |
| tr - Rise Time | 18 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 1160 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 56 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 625 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 500 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.085 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del APT50M85B2VFR:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el APT50M85B2VFR?
Los reemplazos compatibles para el APT50M85B2VFR incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, APT50M75B2LL, APT50M75JFLL, APT50M75JLL, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el APT50M85B2VFR?
El APT50M85B2VFR es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TMAX.
¿Cual es el voltaje maximo del APT50M85B2VFR?
El APT50M85B2VFR tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 56.000 A.