APT5560AN
MOSFET
N-Channel
TO3
Parametros Principales
Vds Max.
550.000 V
Id Max.
11.500 A
RDSon
0.6000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
198.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| tr - Rise Time | 18 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 280 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 11.5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 198 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 550 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.6 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del APT5560AN:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el APT5560AN?
Los reemplazos compatibles para el APT5560AN incluyen: 20N60, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, APT50M75JLL, APT50M75JLLU2, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el APT5560AN?
El APT5560AN es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3.
¿Cual es el voltaje maximo del APT5560AN?
El APT5560AN tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 550.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 11.500 A.