APT56F60B2
MOSFET
N-Channel
TO-247
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
60.000 A
RDSon
0.1100 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
1040.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-247 |
| tr - Rise Time | 75 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 1040 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 60 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 1040 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.11 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del APT56F60B2:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el APT56F60B2?
Los reemplazos compatibles para el APT56F60B2 incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, APT51F50J, APT51M50J, APT53F80J, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el APT56F60B2?
El APT56F60B2 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-247.
¿Cual es el voltaje maximo del APT56F60B2?
El APT56F60B2 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 60.000 A.