APT56M50L
MOSFET
N-Channel
TO-264
Parametros Principales
Vds Max.
500.000 V
Id Max.
56.000 A
RDSon
0.1000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
780.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-264 |
| tr - Rise Time | 45 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 945 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 56 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 780 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 500 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.1 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del APT56M50L:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el APT56M50L?
Los reemplazos compatibles para el APT56M50L incluyen: 2N7000, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, APT53N60BC6, APT53N60SC6, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el APT56M50L?
El APT56M50L es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-264.
¿Cual es el voltaje maximo del APT56M50L?
El APT56M50L tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 56.000 A.