APT58M80J
MOSFET
N-Channel
SOT-227
Parametros Principales
Vds Max.
800.000 V
Id Max.
60.000 A
RDSon
0.1000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
960.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT-227 |
| tr - Rise Time | 145 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 1745 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 60 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 960 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 800 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.1 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del APT58M80J:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el APT58M80J?
Los reemplazos compatibles para el APT58M80J incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, APT56M50B2, APT56M50L, APT56M60B2, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el APT58M80J?
El APT58M80J es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT-227.
¿Cual es el voltaje maximo del APT58M80J?
El APT58M80J tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 800.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 60.000 A.