APT60M80L2VR
MOSFET
N-Channel
TO264
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
65.000 A
RDSon
0.0800 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
830.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO264 |
| tr - Rise Time | 17 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 1450 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 65 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 830 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.08 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del APT60M80L2VR:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el APT60M80L2VR?
Los reemplazos compatibles para el APT60M80L2VR incluyen: 20N50, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, APT6060BNR, APT60M60JFLL, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el APT60M80L2VR?
El APT60M80L2VR es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO264.
¿Cual es el voltaje maximo del APT60M80L2VR?
El APT60M80L2VR tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 65.000 A.