APT8030JVFR
MOSFET
N-Channel
SOT227
Parametros Principales
Vds Max.
800.000 V
Id Max.
25.000 A
RDSon
0.3000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
450.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT227 |
| tr - Rise Time | 14 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 645 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 25 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 450 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 800 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.3 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del APT8030JVFR:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el APT8030JVFR?
Los reemplazos compatibles para el APT8030JVFR incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, APT8015JVFR, APT8015JVR, APT8018JN, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el APT8030JVFR?
El APT8030JVFR es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT227.
¿Cual es el voltaje maximo del APT8030JVFR?
El APT8030JVFR tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 800.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 25.000 A.