APT8M100S
MOSFET
N-Channel
D3PAK
Parametros Principales
Vds Max.
1000.000 V
Id Max.
8.000 A
RDSon
1.8000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
290.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | D3PAK |
| tr - Rise Time | 7.8 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 160 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 8 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 290 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 1000 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1.8 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del APT8M100S:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el APT8M100S?
Los reemplazos compatibles para el APT8M100S incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, APT8090BN, APT80F60J, APT80M60J, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el APT8M100S?
El APT8M100S es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado D3PAK.
¿Cual es el voltaje maximo del APT8M100S?
El APT8M100S tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 1000.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 8.000 A.