APT901R1HN
MOSFET
N-Channel
TO-258
Parametros Principales
Vds Max.
900.000 V
Id Max.
9.500 A
RDSon
1.1000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
250.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-258 |
| tr - Rise Time | 14 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 300 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 9.5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 250 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 900 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1.1 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del APT901R1HN:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el APT901R1HN?
Los reemplazos compatibles para el APT901R1HN incluyen: 20N50, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, APT84F50L, APT84M50B2, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el APT901R1HN?
El APT901R1HN es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-258.
¿Cual es el voltaje maximo del APT901R1HN?
El APT901R1HN tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 900.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 9.500 A.