APT904R2BN
MOSFET
N-Channel
TO-247
Parametros Principales
Vds Max.
900.000 V
Id Max.
4.000 A
RDSon
4.2000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
180.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-247 |
| tr - Rise Time | 10 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 115 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 4 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 180 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 900 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 4.2 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del APT904R2BN:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el APT904R2BN?
Los reemplazos compatibles para el APT904R2BN incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AON7410, APT901R1HN, APT901R3AN, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el APT904R2BN?
El APT904R2BN es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-247.
¿Cual es el voltaje maximo del APT904R2BN?
El APT904R2BN tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 900.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 4.000 A.