APT9F100S
MOSFET
N-Channel
D3PAK
Parametros Principales
Vds Max.
1000.000 V
Id Max.
9.000 A
RDSon
1.6000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
337.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | D3PAK |
| tr - Rise Time | 27 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 219 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 9 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 337 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 1000 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1.6 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del APT9F100S:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el APT9F100S?
Los reemplazos compatibles para el APT9F100S incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, APT904RBN, APT94N60L2C3G, APT94N65B2C3G, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el APT9F100S?
El APT9F100S es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado D3PAK.
¿Cual es el voltaje maximo del APT9F100S?
El APT9F100S tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 1000.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 9.000 A.