APTC60DAM24CT1G
MOSFET
N-Channel
MODULE
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
95.000 A
RDSon
0.0240 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
462.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | MODULE |
| tr - Rise Time | 30 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 17000 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 95 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 462 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.024 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del APTC60DAM24CT1G:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el APTC60DAM24CT1G?
Los reemplazos compatibles para el APTC60DAM24CT1G incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, APT9F100B, APT9F100S, APT9M100B, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el APTC60DAM24CT1G?
El APTC60DAM24CT1G es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado MODULE.
¿Cual es el voltaje maximo del APTC60DAM24CT1G?
El APTC60DAM24CT1G tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 95.000 A.