APTC80H29SCTG
MOSFET
N-Channel
MODULE
Parametros Principales
Vds Max.
800.000 V
Id Max.
15.000 A
RDSon
0.2900 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
156.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | MODULE |
| tr - Rise Time | 13 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 1046 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 15 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 156 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 800 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.29 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del APTC80H29SCTG:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el APTC80H29SCTG?
Los reemplazos compatibles para el APTC80H29SCTG incluyen: 2N60, 2SK711, 2SK704, 2SK709, APTC60DDAM45CT1G, APTC60DDAM70CT1G, APTC60HM45SCTG, APTC60HM70SCTG, APTC60SKM24CT1G, APTC80A10SCTG, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el APTC80H29SCTG?
El APTC80H29SCTG es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado MODULE.
¿Cual es el voltaje maximo del APTC80H29SCTG?
El APTC80H29SCTG tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 800.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 15.000 A.