APTC90DAM60CT1G
MOSFET
N-Channel
MODULE
Parametros Principales
Vds Max.
900.000 V
Id Max.
59.000 A
RDSon
0.0600 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
462.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | MODULE |
| tr - Rise Time | 20 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 660 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 59 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 462 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 900 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.06 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del APTC90DAM60CT1G:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el APTC90DAM60CT1G?
Los reemplazos compatibles para el APTC90DAM60CT1G incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, 7N60, APTC60HM45SCTG, APTC60HM70SCTG, APTC60SKM24CT1G, APTC80A10SCTG, APTC80A15SCTG, APTC80AM75SCG, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el APTC90DAM60CT1G?
El APTC90DAM60CT1G es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado MODULE.
¿Cual es el voltaje maximo del APTC90DAM60CT1G?
El APTC90DAM60CT1G tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 900.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 59.000 A.