APTM120DA30CT1G
MOSFET
N-Channel
MODULE
Parametros Principales
Vds Max.
1200.000 V
Id Max.
31.000 A
RDSon
0.3600 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
657.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | MODULE |
| tr - Rise Time | 60 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 1340 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 31 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 657 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 1200 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.36 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del APTM120DA30CT1G:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el APTM120DA30CT1G?
Los reemplazos compatibles para el APTM120DA30CT1G incluyen: 2N5670, 2SK711, 2SK704, 2SK709, AO4407, APTC90DDA12CT1G, APTC90H12SCTG, APTC90SKM60CT1G, APTM100A13SCG, APTM100A23SCTG, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el APTM120DA30CT1G?
El APTM120DA30CT1G es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado MODULE.
¿Cual es el voltaje maximo del APTM120DA30CT1G?
El APTM120DA30CT1G tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 1200.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 31.000 A.