APTM50DAM38CTG
MOSFET
N-Channel
MODULE
Parametros Principales
Vds Max.
500.000 V
Id Max.
90.000 A
RDSon
0.0450 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
694.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | MODULE |
| tr - Rise Time | 35 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 2360 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 90 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 694 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 500 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.045 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del APTM50DAM38CTG:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el APTM50DAM38CTG?
Los reemplazos compatibles para el APTM50DAM38CTG incluyen: 2N5670, 2SK711, 2SK704, 2SK709, APTM100A23SCTG, APTM100DA18CT1G, APTM100H45SCTG, APTM100UM65SCAVG, APTM120DA30CT1G, APTM120U10SCAVG, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el APTM50DAM38CTG?
El APTM50DAM38CTG es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado MODULE.
¿Cual es el voltaje maximo del APTM50DAM38CTG?
El APTM50DAM38CTG tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 90.000 A.