APTM50HM75SCTG
MOSFET
N-Channel
MODULE
Parametros Principales
Vds Max.
500.000 V
Id Max.
46.000 A
RDSon
0.0900 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
357.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | MODULE |
| tr - Rise Time | 35 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 1180 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 46 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 357 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 500 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.09 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del APTM50HM75SCTG:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el APTM50HM75SCTG?
Los reemplazos compatibles para el APTM50HM75SCTG incluyen: 2N5670, 2SK711, 2SK704, 2SK709, APTM100DA18CT1G, APTM100H45SCTG, APTM100UM65SCAVG, APTM120DA30CT1G, APTM120U10SCAVG, APTM50AM24SCG, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el APTM50HM75SCTG?
El APTM50HM75SCTG es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado MODULE.
¿Cual es el voltaje maximo del APTM50HM75SCTG?
El APTM50HM75SCTG tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 46.000 A.