AS3019E
MOSFET
N-Channel
SOT-523
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
0.100 A
RDSon
8.0000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
0.150 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT-523 |
| tr - Rise Time | 35 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 9 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.1 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.15 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 8 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AS3019E:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AS3019E?
Los reemplazos compatibles para el AS3019E incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, 75N75, AS2310, AS2312, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el AS3019E?
El AS3019E es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT-523.
¿Cual es el voltaje maximo del AS3019E?
El AS3019E tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.100 A.