ASA80R900E
MOSFET
N-Channel
TO220F
Parametros Principales
Vds Max.
800.000 V
Id Max.
8.500 A
RDSon
0.7100 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
43.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220F |
| tr - Rise Time | 34.8 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 34.4 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 8.5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 43 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 800 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.71 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del ASA80R900E:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el ASA80R900E?
Los reemplazos compatibles para el ASA80R900E incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AOD4184A, ASA65R550E, ASA65R850E, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el ASA80R900E?
El ASA80R900E es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220F.
¿Cual es el voltaje maximo del ASA80R900E?
El ASA80R900E tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 800.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 8.500 A.