ASB65R120EFD
MOSFET
N-Channel
TO263
Parametros Principales
Vds Max.
650.000 V
Id Max.
30.000 A
RDSon
0.1200 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
277.800 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO263 |
| tr - Rise Time | 31.3 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 89 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 30 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 277.8 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 650 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.12 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del ASB65R120EFD:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el ASB65R120EFD?
Los reemplazos compatibles para el ASB65R120EFD incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, ASA70R240E, ASA70R380E, ASA70R600E, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el ASB65R120EFD?
El ASB65R120EFD es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO263.
¿Cual es el voltaje maximo del ASB65R120EFD?
El ASB65R120EFD tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 650.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 30.000 A.