ASB80R750E
MOSFET
N-Channel
TO263
Parametros Principales
Vds Max.
800.000 V
Id Max.
8.500 A
RDSon
0.7500 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
150.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO263 |
| tr - Rise Time | 34.8 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 34.4 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 8.5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 150 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 800 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.75 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del ASB80R750E:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el ASB80R750E?
Los reemplazos compatibles para el ASB80R750E incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, ASA80R290E, ASA80R750E, ASA80R900E, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el ASB80R750E?
El ASB80R750E es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO263.
¿Cual es el voltaje maximo del ASB80R750E?
El ASB80R750E tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 800.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 8.500 A.