ASD60R280E
MOSFET
N-Channel
TO252
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
15.000 A
RDSon
0.2800 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
118.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO252 |
| tr - Rise Time | 21.2 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 108 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 15 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 118 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.28 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del ASD60R280E:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el ASD60R280E?
Los reemplazos compatibles para el ASD60R280E incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, ASA80R750E, ASA80R900E, ASB60R150E, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el ASD60R280E?
El ASD60R280E es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO252.
¿Cual es el voltaje maximo del ASD60R280E?
El ASD60R280E tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 15.000 A.