ASD65R850E
MOSFET
N-Channel
TO252
Parametros Principales
Vds Max.
650.000 V
Id Max.
6.000 A
RDSon
0.8500 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
74.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO252 |
| tr - Rise Time | 21.6 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 33 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 6 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 74 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 650 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.85 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del ASD65R850E:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el ASD65R850E?
Los reemplazos compatibles para el ASD65R850E incluyen: 2N7002, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, ASB80R750E, ASD60R280E, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el ASD65R850E?
El ASD65R850E es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO252.
¿Cual es el voltaje maximo del ASD65R850E?
El ASD65R850E tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 650.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 6.000 A.