ASD70R950E
MOSFET
N-Channel
TO252
Parametros Principales
Vds Max.
700.000 V
Id Max.
6.000 A
RDSon
0.9500 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
37.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO252 |
| tr - Rise Time | 21.6 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 33 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 6 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 37 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 700 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.95 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del ASD70R950E:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el ASD70R950E?
Los reemplazos compatibles para el ASD70R950E incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, ASD65R270E, ASD65R280E, ASD65R300E, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el ASD70R950E?
El ASD70R950E es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO252.
¿Cual es el voltaje maximo del ASD70R950E?
El ASD70R950E tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 700.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 6.000 A.