ASDM20N12ZB
MOSFET
N-Channel
SOT23
Parametros Principales
Vds Max.
20.000 V
Id Max.
12.000 A
RDSon
0.0125 Ω
Vgs Max.
8.000 V
Potencia Max.
1.140 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT23 |
| tr - Rise Time | 70 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 320 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 12 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 1.14 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 8 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 20 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0125 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del ASDM20N12ZB:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el ASDM20N12ZB?
Los reemplazos compatibles para el ASDM20N12ZB incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, ASDM3010, ASDM3010S, ASDM3020, y 4 mas.
¿Que tipo de transistor es el ASDM20N12ZB?
El ASDM20N12ZB es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT23.
¿Cual es el voltaje maximo del ASDM20N12ZB?
El ASDM20N12ZB tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 12.000 A.