ASDM3010S
MOSFET
N-Channel
SOP8
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
9.000 A
RDSon
0.0200 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
2.500 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOP8 |
| tr - Rise Time | 7 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 95 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 9 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.02 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del ASDM3010S:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el ASDM3010S?
Los reemplazos compatibles para el ASDM3010S incluyen: 10N60, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, ASDM20N12ZB, ASDM3010, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el ASDM3010S?
El ASDM3010S es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOP8.
¿Cual es el voltaje maximo del ASDM3010S?
El ASDM3010S tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 9.000 A.