ASDM3080KQ
MOSFET
N-Channel
TO252
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
80.000 A
RDSon
0.0060 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
75.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO252 |
| tr - Rise Time | 14.5 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 220 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 80 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 75 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.006 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del ASDM3080KQ:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el ASDM3080KQ?
Los reemplazos compatibles para el ASDM3080KQ incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AO3400, ASDM20N12ZB, ASDM3010, y 8 mas.
¿Que tipo de transistor es el ASDM3080KQ?
El ASDM3080KQ es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO252.
¿Cual es el voltaje maximo del ASDM3080KQ?
El ASDM3080KQ tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 80.000 A.