ASDM30N55E
MOSFET
N-Channel
DFN3.3X3.3
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
55.000 A
RDSon
0.0060 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
40.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | DFN3.3X3.3 |
| tr - Rise Time | 49 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 410 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 55 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 40 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.006 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del ASDM30N55E:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el ASDM30N55E?
Los reemplazos compatibles para el ASDM30N55E incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, ASDM20N12ZB, ASDM3010, ASDM3010S, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el ASDM30N55E?
El ASDM30N55E es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado DFN3.3X3.3.
¿Cual es el voltaje maximo del ASDM30N55E?
El ASDM30N55E tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 55.000 A.