ASDM40N80Q
MOSFET
N-Channel
DFN5X6-8
Parametros Principales
Vds Max.
40.000 V
Id Max.
80.000 A
RDSon
0.0045 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
65.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | DFN5X6-8 |
| tr - Rise Time | 21 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 780 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 80 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 65 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 40 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0045 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del ASDM40N80Q:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el ASDM40N80Q?
Los reemplazos compatibles para el ASDM40N80Q incluyen: 2SK3878, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, ASDM3400, ASDM3400ZB, y 4 mas.
¿Que tipo de transistor es el ASDM40N80Q?
El ASDM40N80Q es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado DFN5X6-8.
¿Cual es el voltaje maximo del ASDM40N80Q?
El ASDM40N80Q tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 40.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 80.000 A.