ASDM65N18S
MOSFET
N-Channel
SOP8
Parametros Principales
Vds Max.
65.000 V
Id Max.
18.000 A
RDSon
0.0075 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
2.500 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOP8 |
| tr - Rise Time | 32 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 310 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 18 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 65 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0075 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del ASDM65N18S:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el ASDM65N18S?
Los reemplazos compatibles para el ASDM65N18S incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, ASDM3400ZB, ASDM3404ZA, ASDM40N52, y 2 mas.
¿Que tipo de transistor es el ASDM65N18S?
El ASDM65N18S es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOP8.
¿Cual es el voltaje maximo del ASDM65N18S?
El ASDM65N18S tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 65.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 18.000 A.