ASE70R950E
MOSFET
N-Channel
SOT223
Parametros Principales
Vds Max.
700.000 V
Id Max.
2.000 A
RDSon
0.9500 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
3.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT223 |
| tr - Rise Time | 21.6 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 33 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 2 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 3 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 700 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.95 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del ASE70R950E:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el ASE70R950E?
Los reemplazos compatibles para el ASE70R950E incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, 8205A, ASD65R300E, ASD65R350E, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el ASE70R950E?
El ASE70R950E es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT223.
¿Cual es el voltaje maximo del ASE70R950E?
El ASE70R950E tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 700.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 2.000 A.