ASM65R280E
MOSFET
N-Channel
DFN8X8
Parametros Principales
Vds Max.
650.000 V
Id Max.
15.000 A
RDSon
0.2800 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
126.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | DFN8X8 |
| tr - Rise Time | 7.5 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 40.67 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 15 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 126 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 650 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.28 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del ASM65R280E:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el ASM65R280E?
Los reemplazos compatibles para el ASM65R280E incluyen: 10N60, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, ASD65R550E, ASD65R850E, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el ASM65R280E?
El ASM65R280E es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado DFN8X8.
¿Cual es el voltaje maximo del ASM65R280E?
El ASM65R280E tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 650.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 15.000 A.