ASU65R550E
MOSFET
N-Channel
TO251
Parametros Principales
Vds Max.
650.000 V
Id Max.
8.000 A
RDSon
0.5500 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
178.100 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO251 |
| tr - Rise Time | 24.8 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 76 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 8 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 178.1 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 650 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.55 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del ASU65R550E:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el ASU65R550E?
Los reemplazos compatibles para el ASU65R550E incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, 7N65, ASD80R750E, ASE70R950E, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el ASU65R550E?
El ASU65R550E es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO251.
¿Cual es el voltaje maximo del ASU65R550E?
El ASU65R550E tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 650.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 8.000 A.