ASW60R029EFD
MOSFET
N-Channel
TO247
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
90.000 A
RDSon
0.0290 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
500.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO247 |
| tr - Rise Time | 55 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 165.6 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 90 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 500 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.029 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del ASW60R029EFD:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el ASW60R029EFD?
Los reemplazos compatibles para el ASW60R029EFD incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, ASM65R280E, ASQ65R046EFD, ASR65R046EFD, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el ASW60R029EFD?
El ASW60R029EFD es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO247.
¿Cual es el voltaje maximo del ASW60R029EFD?
El ASW60R029EFD tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 90.000 A.