ASW60R090EFDA
MOSFET
N-Channel
TO247
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
47.000 A
RDSon
0.0900 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
191.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO247 |
| tr - Rise Time | 4.4 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 298.1 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 47 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 191 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.09 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del ASW60R090EFDA:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el ASW60R090EFDA?
Los reemplazos compatibles para el ASW60R090EFDA incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, ASR65R046EFD, ASR65R120EFD, ASU65R350E, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el ASW60R090EFDA?
El ASW60R090EFDA es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO247.
¿Cual es el voltaje maximo del ASW60R090EFDA?
El ASW60R090EFDA tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 47.000 A.