AT10N65S
MOSFET
N-Channel
TO-220AB
Parametros Principales
Vds Max.
650.000 V
Id Max.
10.000 A
RDSon
1.0000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
156.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-220AB |
| tr - Rise Time | 74 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 166 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 10 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 156 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 650 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AT10N65S:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AT10N65S?
Los reemplazos compatibles para el AT10N65S incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AF10N60S, AF10N65S, AF12N65S, y 11 mas.
¿Que tipo de transistor es el AT10N65S?
El AT10N65S es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-220AB.
¿Cual es el voltaje maximo del AT10N65S?
El AT10N65S tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 650.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 10.000 A.