ATP112
MOSFET
P-Channel
ATPAK
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
25.000 A
RDSon
0.0430 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
40.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | ATPAK |
| tr - Rise Time | 80 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 155 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 25 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 40 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.043 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del ATP112:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el ATP112?
Los reemplazos compatibles para el ATP112 incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK705, 5LP01M, ATP101, ATP102, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el ATP112?
El ATP112 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado ATPAK.
¿Cual es el voltaje maximo del ATP112?
El ATP112 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 25.000 A.