ATP113
MOSFET
P-Channel
ATPAK
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
35.000 A
RDSon
0.0295 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
50.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | ATPAK |
| tr - Rise Time | 125 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 250 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 35 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 50 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0295 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del ATP113:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el ATP113?
Los reemplazos compatibles para el ATP113 incluyen: 2N7000, 2SK711, 2SK704, 2SK709, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK705, ATP101, ATP102, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el ATP113?
El ATP113 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado ATPAK.
¿Cual es el voltaje maximo del ATP113?
El ATP113 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 35.000 A.