ATP401
MOSFET
N-Channel
ATPAK
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
100.000 A
RDSon
0.0037 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
90.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | ATPAK |
| tr - Rise Time | 580 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 1000 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 100 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 90 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0037 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del ATP401:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el ATP401?
Los reemplazos compatibles para el ATP401 incluyen: 2N5670, 2SK2842, 2SK711, 2SK704, 2SK709, APTM100UM65SCAVG, APTM120DA30CT1G, APTM120U10SCAVG, APTM50AM24SCG, APTM50AM38SCTG, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el ATP401?
El ATP401 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado ATPAK.
¿Cual es el voltaje maximo del ATP401?
El ATP401 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 100.000 A.