AU2N60S
MOSFET
N-Channel
TO-251AB
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
2.000 A
RDSon
4.4000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
34.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-251AB |
| tr - Rise Time | 25 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 45 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 2 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 34 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 4.4 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AU2N60S:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AU2N60S?
Los reemplazos compatibles para el AU2N60S incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, AG10N65S, AT12N65S, AF12N65S, AK12N65S, AG12N65S, AT14N15S, AT7N65S, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AU2N60S?
El AU2N60S es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-251AB.
¿Cual es el voltaje maximo del AU2N60S?
El AU2N60S tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 2.000 A.