AU6N70S
MOSFET
N-Channel
TO-251AB
Parametros Principales
Vds Max.
700.000 V
Id Max.
6.000 A
RDSon
2.5000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
48.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-251AB |
| tr - Rise Time | 80 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 95 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 6 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 48 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 700 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 2.5 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AU6N70S:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AU6N70S?
Los reemplazos compatibles para el AU6N70S incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, AK5N60S, AG5N60S, AU5N65S, AD5N65S, AT5N65S, AF5N65S, AK5N65S, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AU6N70S?
El AU6N70S es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-251AB.
¿Cual es el voltaje maximo del AU6N70S?
El AU6N70S tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 700.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 6.000 A.