AUB033N08BG
MOSFET
N-Channel
TO263
Parametros Principales
Vds Max.
85.000 V
Id Max.
160.000 A
RDSon
0.0033 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
179.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO263 |
| tr - Rise Time | 53 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 1292 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 160 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 179 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 85 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0033 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AUB033N08BG:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AUB033N08BG?
Los reemplazos compatibles para el AUB033N08BG incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AON6380, ASW65R110E, ASW65R120EFD, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el AUB033N08BG?
El AUB033N08BG es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO263.
¿Cual es el voltaje maximo del AUB033N08BG?
El AUB033N08BG tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 85.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 160.000 A.