AUB039N10
MOSFET
N-Channel
TO263
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
125.000 A
RDSon
0.0039 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
151.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO263 |
| tr - Rise Time | 55 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 865 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 125 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 151 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0039 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AUB039N10:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AUB039N10?
Los reemplazos compatibles para el AUB039N10 incluyen: 20N50, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, ASW80R290E, AUA039N10, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el AUB039N10?
El AUB039N10 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO263.
¿Cual es el voltaje maximo del AUB039N10?
El AUB039N10 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 125.000 A.