AUIRF7313Q
MOSFET
N-Channel
SO-8
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
6.900 A
RDSon
0.0290 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
2.400 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SO-8 |
| tr - Rise Time | 7.3 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 310 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 6.9 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2.4 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.029 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AUIRF7313Q:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AUIRF7313Q?
Los reemplazos compatibles para el AUIRF7313Q incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, 4N60, AUIRF3315S, AUIRF3710ZSTRL, y 11 mas.
¿Que tipo de transistor es el AUIRF7313Q?
El AUIRF7313Q es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SO-8.
¿Cual es el voltaje maximo del AUIRF7313Q?
El AUIRF7313Q tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 6.900 A.