AUIRF7342Q
MOSFET
P-Channel
SO8
Parametros Principales
Vds Max.
55.000 V
Id Max.
3.400 A
RDSon
0.1050 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
2.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SO8 |
| tr - Rise Time | 10 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 210 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 3.4 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 55 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.105 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AUIRF7342Q:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AUIRF7342Q?
Los reemplazos compatibles para el AUIRF7342Q incluyen: AUIRF7304Q, AUIRF7316Q.
¿Que tipo de transistor es el AUIRF7342Q?
El AUIRF7342Q es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SO8.
¿Cual es el voltaje maximo del AUIRF7342Q?
El AUIRF7342Q tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 55.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 3.400 A.