AUIRF7799L2
MOSFET
N-Channel
DIRECTFET
Parametros Principales
Vds Max.
250.000 V
Id Max.
6.600 A
RDSon
0.0380 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
4.300 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | DIRECTFET |
| tr - Rise Time | 33.5 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 606 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 6.6 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 4.3 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 250 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.038 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AUIRF7799L2:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AUIRF7799L2?
Los reemplazos compatibles para el AUIRF7799L2 incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AUIRF7732S2TR, AUIRF7734M2, AUIRF7736M2TR1, y 12 mas.
¿Que tipo de transistor es el AUIRF7799L2?
El AUIRF7799L2 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado DIRECTFET.
¿Cual es el voltaje maximo del AUIRF7799L2?
El AUIRF7799L2 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 250.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 6.600 A.