AUIRL7766M2TR
MOSFET
N-Channel
DIRECTFET
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
10.000 A
RDSon
0.0100 Ω
Vgs Max.
16.000 V
Potencia Max.
2.500 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | DIRECTFET |
| tr - Rise Time | 24 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 460 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 10 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 16 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.01 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AUIRL7766M2TR:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AUIRL7766M2TR?
Los reemplazos compatibles para el AUIRL7766M2TR incluyen: 12N60, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AUIRFZ44VZSTRL, AUIRFZ44ZSTRL, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el AUIRL7766M2TR?
El AUIRL7766M2TR es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado DIRECTFET.
¿Cual es el voltaje maximo del AUIRL7766M2TR?
El AUIRL7766M2TR tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 10.000 A.