AUN050N08BGL
MOSFET
N-Channel
DFN5X6
Parametros Principales
Vds Max.
85.000 V
Id Max.
65.000 A
RDSon
0.0050 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
151.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | DFN5X6 |
| tr - Rise Time | 16.6 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 1215 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 65 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 151 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 85 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.005 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AUN050N08BGL:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AUN050N08BGL?
Los reemplazos compatibles para el AUN050N08BGL incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AUD056N08BGL, AUD060N055, AUD060N08AG, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AUN050N08BGL?
El AUN050N08BGL es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado DFN5X6.
¿Cual es el voltaje maximo del AUN050N08BGL?
El AUN050N08BGL tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 85.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 65.000 A.