B0210D
MOSFET
N-Channel
TO252
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
10.000 A
RDSon
0.2200 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
25.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO252 |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 10 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 25 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.22 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del B0210D:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el B0210D?
Los reemplazos compatibles para el B0210D incluyen: 2SK711, AO3400, 2SK704, 2SK709, BRCS4435SC, 2SK4119LS, 2SK4098LS, 3N128, 3N143, APM2509NU, y 4 mas.
¿Que tipo de transistor es el B0210D?
El B0210D es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO252.
¿Cual es el voltaje maximo del B0210D?
El B0210D tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 10.000 A.